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SIHP20N50E-GE3实物图
  • SIHP20N50E-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHP20N50E-GE3

1个N沟道 耐压:500V 电流:19A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHP20N50E-GE3
商品编号
C7080480
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))184mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)179W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)92nC@10V
输入电容(Ciss)1.64nF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定值(UIS)

应用领域

  • 计算机领域
  • 个人电脑银色机箱/ATX电源
  • 照明
  • 两级LED照明
  • 消费电子
  • 使用硬开关拓扑的应用
  • 功率因数校正(PFC)
  • 双开关正激变换器
  • 反激式变换器
  • 开关模式电源(SMPS)

数据手册PDF