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SIS184LDN-T1-GE3

1个N沟道耐压:60V 电流:18.7A 电流:69.4A

描述: 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。非常低的RDS-Qg品质因数 (FOM)。针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调整。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：同步整流。初级侧开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIS184LDN-T1-GE3
商品编号: C7080574
包装方式: 编带
商品毛重: 0.295克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值，使其具有出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。

商品特性

TrenchFET第四代功率MOSFET
极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
针对最低的导通电阻-输出电容品质因数进行优化
100%进行栅极电阻和非钳位感性开关测试

应用领域

同步整流
初级侧开关
DC/DC转换器
电机驱动开关
电池和负载开关
工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	18.7A；69.4A
	导通电阻(RDS(on))	5.4mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.7W；52W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	41nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.95nF
	反向传输电容(Crss)	41pF
	工作温度	-55℃~+150℃