SI7862ADP-T1-GE3

功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。专有的平面条纹设计具有出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低“米勒”电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在极高频率下开关也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

• 提供无卤版本
• 沟道型场效应功率MOSFET:额定电压2.5 V
• 低导通电阻RDS(on),为3.3 mΩ
• 低栅极电阻
• 100%进行栅极电阻测试

-同步整流-低输出电压同步整流