SI4442DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4442DY-T1-E3
- 商品编号
- C7080294
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低 RDS(ON)和 Qg 来解决导通和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET:额定电压 2.5 V
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
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