SI4124DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:40V 电流:20.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4124DY-T1-E3
- 商品编号
- C7080290
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；5.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 同步整流
- DC/DC
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