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SI3443DDV-T1-BE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A 电流:4A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3443DDV-T1-BE3
- 商品编号
- C7080283
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W；1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- PWM优化
- 100%栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-硬盘驱动器-DC/DC转换器-负载开关-便携式设备
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