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SI3443BDV-T1-BE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3443BDV-T1-BE3
- 商品编号
- C7080281
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOWF9N70采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并保证有雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供P沟道MOSFET
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