- 引脚图
- 焊盘图
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SI2366DS-T1-BE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A 电流:4.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2366DS-T1-BE3
- 商品编号
- C7080259
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A；5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W；2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 直流-直流转换器、高频开关
- 负载开关
- 便携式和消费类应用
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