温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2301CDS-T1-BE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2301CDS-T1-BE3
- 商品编号
- C7080253
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 860mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式应用负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI2312CDS-T1-BE3
- SI2365EDS-T1-BE3
- SI2366DS-T1-BE3
- SI2392ADS-T1-BE3
- SI3443BDV-T1-BE3
- SI3443DDV-T1-BE3
- SI3474DV-T1-BE3
- SI3493BDV-T1-BE3
- SI4124DY-T1-E3
- SI4430BDY-T1-GE3
- SI4442DY-T1-E3
- SI4451DY-T1-E3
- SIHH21N60EF-T1-GE3
- SIHJ6N65E-T1-GE3
- SIHP18N60E-GE3
- SIHP20N50E-GE3
- SIHP22N60AE-GE3
- SIHP35N60EF-GE3
- SIHP8N50D-GE3
- SIJ438ADP-T1-GE3
- SIJA52DP-T1-GE3