温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LN2302LT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,20V,2.8A,60mΩ@4.5V,功能与引脚同SI2302
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2302LT1G
- 商品编号
- C77962
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.69nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 427.12pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80.56pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V
- 栅源电压（Vgs）为4.5V、漏源电流（Ids）为2.8A时，导通电阻（RDS(ON)） = 60mΩ
- 栅源电压（Vgs）为2.5V、漏源电流（Ids）为2.0A时，导通电阻（RDS(ON)） = 115mΩ
应用领域
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计，改善直通品质因数
- 我们声明该产品的材料符合RoHS要求且无卤
相似推荐
其他推荐