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L2N7002KLT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L2N7002KLT1G

1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA

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描述
N沟道,60V,0.38A, 2.3Ω@10V
商品型号
L2N7002KLT1G
商品编号
C78564
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))2.3Ω@10V
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)710pC@10V
输入电容(Ciss)34pF@25V
反向传输电容(Crss)2.2pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 静电放电保护
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 表面贴装封装
  • 这是一款无铅器件
  • 我们声明该产品材料符合RoHS要求且无卤素。
  • S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 低端负载开关
  • 电平转换电路
  • DC-DC转换器
  • 便携式应用,如数码单反相机(DSC)、个人数字助理(PDA)、手机等。

数据手册PDF