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LN2306LT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2306LT1G
- 商品编号
- C78724
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 513.51pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54.87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源极电压(VDS) = 30V
- 当栅源极电压(VGS)为10V、漏源极电流(IDS)为5.8A时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 38mΩ
- 当栅源极电压(VGS)为4.5V、漏源极电流(IDS)为5.0A时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 43mΩ
- 当栅源极电压(VGS)为2.5V、漏源极电流(IDS)为4.0A时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 62mΩ
- 我们声明该产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
应用领域
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
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