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SI2302-TP
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI2302-TP
- 商品编号
- C77977
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 237pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有高密度DMOS技术制造。这些产品的设计旨在最大限度降低导通电阻，同时提供强大、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS）为4.5 V时，导通电阻（RDS(ON)）为6.0 Ω
- 0.22 A、50 V。栅源电压（VGS）为10 V时，导通电阻（RDS(ON)）为3.5 Ω
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 强大可靠
- 紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装
应用领域
-小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-其他开关应用
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