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LP2301LT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
- 描述
- P沟道,-20V,-2.8A,100mΩ@-4.5V,功能与引脚同SI2301
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2301LT1G
- 商品编号
- C77937
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 570mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 882.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97.26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 漏源导通电阻(RDS(ON)),栅源电压(Vgs)@-2.5V,漏源电流(Ids)@-2.0A 时为 150mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)),栅源电压(Vgs)@-4.5V,漏源电流(Ids)@-2.8A 时为 100mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 改善直通品质因数
- 驱动要求简单
- 封装外形小巧
- 表面贴装器件
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。