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CMSA150N03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- CMSA150N03L采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA150N03L
- 商品编号
- C6939757
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V；7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
CMS6679S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) = 22mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 38mΩ
- 超低导通电阻
- 表面贴装封装
应用领域
- 逆变器开关
- 同步整流器
- 负载开关
- DC/DC转换器