- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK11P65W,RQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:11.1A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK11P65W,RQ
- 商品编号
- C6880941
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.35 Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.45 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- TK12P60W,RVQ
- TK13A50D(STA4,Q,M)
- TK13A55DA(STA4,QM)
- TK15S04N1L,LXHQ
- TK16J60W5,S1VQ
- TK17A65W5,S5X
- TK22A10N1,S4X
- TK22E10N1,S1X
- TK25V60X,LQ
- TK31J60W,S1VQ
- TK3R3E08QM,S1X
- TK40A06N1,S4X
- TMM-107-05-G-S
- TMM-107-06-G-D
- TMM-108-01-F-S-RA
- TK1505800000G
- TMM-108-01-S-D-RA
- TK2005800000G
- TMM-108-03-L-S-002
- TMM-108-03-T-S
- TMM-108-04-F-D-SM