TK11P65W,RQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:11.1A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK11P65W,RQ
- 商品编号
- C6880941
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF@300V |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管（SyncFET）
- 集成单片类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 通过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照IEC61249-2-21标准无卤