TK7A65W,S5X
1个N沟道 耐压:650V 电流:6.8A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK7A65W,S5X
- 商品编号
- C6880976
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已根据AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.64 Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.25 mA)
应用领域
-开关稳压器
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