TK13A50D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK13A50D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C6880945
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据相应AEC标准进行设计和鉴定,适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.31Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 7.5S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)
- 增强型:Vth = 2.0至4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
- 12 V和24 V负载
- 汽车系统
- 通用功率开关
- 电机、灯具和螺线管
- TK13A55DA(STA4,QM)
- TK15S04N1L,LXHQ
- TK16J60W5,S1VQ
- TK17A65W5,S5X
- TK22A10N1,S4X
- TK22E10N1,S1X
- TK25V60X,LQ
- TK31J60W,S1VQ
- TK3R3E08QM,S1X
- TK40A06N1,S4X
- TK4R3E06PL,S1X
- TMM-107-06-G-D
- TMM-108-01-F-S-RA
- TK1505800000G
- TMM-108-01-S-D-RA
- TK2005800000G
- TMM-108-03-L-S-002
- TMM-108-03-T-S
- TMM-108-04-F-D-SM
- TMM-108-04-G-D-SM
- TMM-108-04-L-S

