TK17A65W5,S5X
1个N沟道 耐压:650V 电流:17.3A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK17A65W5,S5X
- 商品编号
- C6880954
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF |
商品概述
采用特定应用（ASFET）增强型安全工作区（SOA）技术的LFPAK56封装单通道、逻辑电平、N沟道MOSFET。该产品已通过AEC - Q101认证，可用于安全气囊应用的线性模式。
商品特性
- 快速反向恢复时间:trr = 110 ns(典型值)
- 低漏源导通电阻:采用超结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.19 Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强模式:Vth = 3至4.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.9 mA)
应用领域
- 开关稳压器