TK22E10N1,S1X
1个N沟道 耐压:100V 电流:52A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK22E10N1,S1X
- 商品编号
- C6880960
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V,11A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@50V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻（RDS(ON)）= 11.5 mΩ（典型值）（栅源电压（VGS）= 10 V）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流（IDSS）= 10 μA（最大值）（漏源电压（VDS）= 100 V）
- 增强型：阈值电压（V_th）= 2.0 至 4.0 V（漏源电压（VDS）= 10 V，漏极电流（ID）= 0.3 mA）
应用领域
- 开关稳压器