TK60S10N1L,LXHQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK60S10N1L,LXHQ
- 商品编号
- C6880972
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.11mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF@10V |
商品特性
- 通过AEC - Q101认证
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻（RDS(ON)） = 5.14 mΩ（典型值）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流（IDSS） = 10 μA（最大值）（漏源电压（VDS） = 100 V）
- 增强型：阈值电压（Vth） = 2.5至3.5 V（漏源电压（VDS） = 10 V，漏极电流（ID） = 0.5 mA）
应用领域
- 汽车电机驱动器
- 开关稳压器
- DC - DC转换器