TK4R3E06PL,S1X
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK4R3E06PL,S1X
- 商品编号
- C6880968
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF |
商品概述
650 V CoolSiC™ 基于英飞凌 20 多年来研发的成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料特性，650 V CoolSiC™ MOSFET 集出色性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工况，可实现系统最高效率的简易且经济高效的部署。
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷:QSW = 15.1 nC(典型值)
- 小输出电荷:Qoss = 39 nC(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.3mΩ(典型值)(VGS = 10V)
- 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 60V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5V(VDS = 10V,ID = 0.5mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器