TK12P60W,RVQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:11.5A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12P60W,RVQ
- 商品编号
- C6880943
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V,5.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF@300V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.35 Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：Vth = 2.5至3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.45 mA）
应用领域
- 开关稳压器