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MC74ACT00DR2G
高性能硅栅CMOS工艺，四路2输入与非门
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- 描述
- 特性：输出驱动能力：±24mA。 工作电压范围：2至6V（AC00）；4.5至5.5V（ACT00）。 低输入电流：1.0μA。 具有CMOS器件的高抗噪特性。 符合JEDEC标准第7A号要求。 芯片复杂度：32个FET。 提供无铅封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MC74ACT00DR2G
- 商品编号
- C7313
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 逻辑门 | |
| 逻辑类型 | 与非门 | |
| 通道数 | 4 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 静态电流(Iq) | 40uA | |
| 灌电流(IOL) | 24mA | |
| 拉电流(IOH) | 24mA | |
| 输入高电平(VIH) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 输出高电平(VOH) | 4.86V | |
| 输出低电平(VOL) | 500mV | |
| 系列 | 74ACT系列 | |
| 传播延迟(tpd) | 9.5ns@5V,50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 输入通道数 | 2 |
商品特性
- 输出驱动能力：±24 mA
- 工作电压范围：2 至 6 V（AC00）；4.5 至 5.5 V（ACT00）
- 低输入电流：1.0 μA
- 具有CMOS器件的高抗噪特性
- 符合JEDEC标准No. 7A要求
- 芯片复杂度：32个FET
- 提供无铅封装
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