- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7686DP-T1-E3
SI7686DP-T1-E3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7686DP-T1-E3
- 商品编号
- C6815938
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
商品特性
- 提供无卤版本
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 采用新型低热阻PowerPAK封装,厚度仅1.07 mm
- 针对高端同步操作进行优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
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