SI7858ADP-T1-GE3

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7858ADP-T1-GE3
商品编号: C6815942
商品封装: PowerPAKSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

N沟道12 V(漏 - 源)MOSFET,PowerPAK是围绕SO - 8封装开发的新型封装技术。PowerPAK SO - 8与标准SO - 8占位面积和引脚输出相同,可直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装,PowerPAK SO - 8利用整个SO - 8占位面积,能容纳比标准SO - 8更大的芯片。芯片底部的连接垫外露,可提供直接、低电阻的热通路至安装器件的基板。此外,该封装高度低于标准SO - 8,适用于空间受限的应用。

商品特性

提供无卤版本
TrenchFET功率MOSFET
新型低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07 mm
100%进行栅极电阻(Rg)测试
符合RoHS标准

应用领域

低输出电压、高电流同步整流器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	12V
	连续漏极电流(Id)	29A
	导通电阻(RDS(on))	2mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	5.4W
	阈值电压(Vgs(th))	950mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	54nC
	输入电容(Ciss)	5.7nF
	反向传输电容(Crss)	1.28nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.68nF
	栅极电压(Vgs)	±8V