- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7374DP-T1-E3
SI7374DP-T1-E3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7374DP-T1-E3
- 商品编号
- C6815930
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 870pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
应用领域
- DC/DC 转换
- CPU 核心低端
- 次级同步整流
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