MC1413BDR2G
MC1413BDR2G
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描述
高电压、大电流达林顿晶体管阵列
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
MC1413BDR2G商品编号
C7289商品封装
SOIC-16包装方式
编带
商品毛重
0.318克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
工作温度 | -40℃~+85℃ |
晶体管类型:7 NPN 达林顿
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
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