S25FL064LABMFV011

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65纳米工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。该系列通过串行外设接口(SPI)与主机系统连接，支持传统的SPI单比特串行输入/输出(单输入/输出或SIO)，以及可选的双比特(双输入/输出或DIO)和四比特宽度的四路输入/输出(QIO)与四路外设接口(QPI)命令。此外，还包含用于QIO和QPI的双倍数据率(DDR)读取命令，可在时钟的上升沿和下降沿传输地址与读取数据。其架构具有页编程缓冲区，允许单次操作编程多达256字节，并提供独立的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除功能。通过使用FL-L系列器件所支持的更高时钟频率及四路命令，指令读取传输速率可以匹配甚至超越传统的并行接口、异步NOR闪存，同时显著减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并满足各种移动或嵌入式应用所需的灵活性与快速性能，为空间、信号连接和功率有限的系统提供了理想的存储解决方案。这些存储器提供的灵活性和性能远超普通的串行闪存器件，非常适用于代码映射到RAM、直接执行代码(XIP)以及存储可重新编程的数据。

• 支持多输入/输出的串行外设接口(SPI)
• 时钟极性与相位模式0和3
• 双倍数据率(DDR)选项
• 四路外设接口(QPI)选项
• 扩展寻址：24位或32位地址选项
• 串行命令子集和封装与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容
• 多输入/输出命令子集和封装与S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容
• 读取
• 命令：普通、快速、双路输入/输出、四路输入/输出、双路输出、四路输出、DDR四路输入/输出
• 模式：突发回绕、连续(XIP)、QPI
• 用于配置信息的串行闪存可发现参数(SFDP)
• 编程架构
• 256字节页编程缓冲区
• 编程挂起与恢复
• 擦除架构
• 统一的4 KB扇区擦除
• 统一的32 KB半块擦除
• 统一的64 KB块擦除
• 芯片擦除
• 擦除挂起与恢复
• 100,000次编程-擦除循环，最小值
• 20年数据保存期限，最小值
• 安全特性
• 状态与配置寄存器保护
• 四个位于主闪存阵列之外的256字节安全区域
• 传统块保护：块范围
• 单独与区域保护
• 单独块锁定：易失性单独扇区/块
• 指针区域：非易失性扇区/块范围
• 电源锁定、密码或对安全区域2、3及指针区域的永久保护
• 技术
• 65纳米浮栅技术
• 单电源电压，带CMOS输入/输出
• 2.7 V 至 3.6 V
• 温度范围/等级
• 工业级 (-40°C to +85°C)
• 工业增强级 (-40°C to +105°C)
• 汽车级，AEC-Q100 3级 (-40°C 到 +85°C)
• 汽车级，AEC-Q100 2级 (-40°C 到 +105°C)
• 汽车级，AEC-Q100 1级 (-40°C to +125°C)
• 封装(全部无铅)
• 8引脚SOIC 208密耳 (SOC008)
• 16引脚SOIC 300密耳 (SO3016)
• USON 4×4 mm (UNF008)
• WSON 5×6 mm (WND008)
• BGA-24 6×8mm
• 5×5 焊球 (FAB024) 封装
• 4×6 焊球 (FAC024) 封装
• 已知合格芯片(KGD)和已知已测试芯片