S25HL02GTDZBHB053

英飞凌带有Quad SPI接口的SEMPER™闪存系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT™ NOR闪存器件。SEMPER™闪存专为功能安全而设计，按照ISO 26262标准进行开发，以实现ASIL - B合规和ASIL - D就绪。该闪存支持传统SPI单比特串行输入输出，可选两比特（双I/O或DIO）以及四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）协议。此外，QIO和QPI还有DDR读取事务，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。设备的读取操作是面向突发的，读取事务可配置为使用环绕或线性突发。环绕突发从单页读取，而线性突发可读取整个存储阵列。每个存储位的擦除状态为逻辑1，编程将逻辑1（高电平）变为逻辑0（低电平），只有擦除操作才能将存储位从0变为1，擦除操作必须对整个扇区（4 KB或256 KB）执行。SEMPER™闪存提供灵活的扇区架构，地址空间可配置为统一的256 KB扇区阵列，或混合配置1（32个4 KB扇区集中在顶部或底部，其余扇区为256 KB），或混合配置2（顶部和底部各有32个4 KB扇区，其余扇区为256 KB）。单编程操作期间使用的页编程缓冲区可配置为256字节或512字节，512字节选项提供最高的编程吞吐量。该器件是带有DDP或QDP堆叠管芯的多芯片封装（MCP），封装内所有管芯的控制信号在内部连接在一起。

• 采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
• 多芯片封装（MCP）
• 02GT双管芯封装（DDP） 2×1 Gb管芯
• 04GT四管芯封装（QDP） 4×1 Gb管芯
• 扇区架构选项：统一架构（地址空间由所有256 KB扇区组成）和混合架构（配置1：地址空间由32个4 KB扇区集中在顶部或底部，其余为256 KB扇区；配置2：地址空间顶部和底部各有32个4 KB扇区，其余为256 KB扇区）
• 页编程缓冲区为256或512字节
• 1024字节（32×32字节）的一次性可编程（OTP）安全硅阵列
• 接口支持Quad SPI（支持1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议，SDR选项最高运行速度83 MBps（166 MHz时钟速度），DDR选项最高运行速度102 MBps（102 MHz时钟速度））、Dual SPI（支持1S - 2S - 2S协议，SDR选项最高运行速度41.5 MBps（166 MHz时钟速度））和SPI（支持1S - 1S - 1S协议，SDR选项最高运行速度21 MBps（166 MHz时钟速度））
• 安全特性：具备符合行业首个ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D做好准备的功能安全，EnduraFlex™架构提供高耐久性和长保留分区，数据完整性CRC检测存储阵列中的错误，SafeBoot报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项，内置纠错码（ECC）纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED），扇区擦除状态指示器用于擦除期间的掉电情况
• 保护特性：对存储阵列和设备配置提供传统块保护，对单个存储阵列扇区提供高级扇区保护
• 通过CS#信号方法（JEDEC）/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
• 具备串行闪存可发现参数（SFDP）描述设备功能和特性，以及设备标识、制造商标识和唯一标识
• 02GT DDP、04GT QDP设备主阵列的最小编程 - 擦除周期为2,560,000次，所有设备4 KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300,000次，最小数据保留时间为25年
• 供电电压范围为1.7 V至2.0 V（HS - T）和2.7 V至3.6 V（HL - T）
• 工作温度范围包括工业级（-40°C至 +85°C）、工业增强级（-40°C至 +105°C）、汽车AEC - Q100 3级（-40°C至 +85°C）、汽车AEC - Q100 2级（-40°C至 +105°C）、汽车AEC - Q100 1级（-40°C至 +125°C）
• 02GT DDP、04GT QDP设备采用24球BGA 8×8 mm封装