S26HS01GTGABHI030

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S26HS01GTGABHI030
商品编号: C6801607
商品封装: FBGA-24(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

商品特性

采用45纳米存储技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
提供统一的扇区架构，所有扇区均为256KB，或混合架构配置
页面编程缓冲区为256或512字节
提供1024字节的一次性可编程安全硅区域
支持HYPERBUS接口，符合JEDEC eXpanded SPI标准，DDR模式运行速率最高达每秒400兆字节，支持数据选通以简化高速系统中的读取数据捕获
支持传统单通道SPI接口，符合JEDEC eXpanded SPI标准，SDR模式运行速率最高达每秒21兆字节
支持默认从传统SPI或HYPERBUS接口启动
提供功能安全特性，符合ISO26262 ASIL B等级并准备支持ASIL D等级，提供高耐久性和长保持时间分区的架构，接口CRC可检测主机控制器与闪存设备间通信接口的错误，数据完整性CRC可检测存储阵列中的错误，安全启动功能报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项，内置错误校正码可校正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误，提供扇区擦除状态指示器以应对擦除期间的电源中断
提供保护特性，包括基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护，上电后立即访问存储阵列的自动启动功能，支持通过片选信号复位方法和独立复位引脚的硬件复位
提供描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数
提供设备识别、制造商识别和识别信息
数据耐久性：256Mb器件主阵列最小可进行640,000次编程-擦除循环，512Mb器件主阵列最小可进行1,280,000次编程-擦除循环，1Gb器件主阵列最小可进行2,560,000次编程-擦除循环，所有器件的4KB扇区最小可进行300,000次编程-擦除循环，数据保持时间最小为25年
工作电压范围：1.7V至2.0V，或2.7V至3.6V
工作温度等级：工业级-40℃至+85℃，工业增强级-40℃至+105℃，汽车级AEC-Q100 3级-40℃至+85℃，汽车级AEC-Q100 2级-40℃至+105℃，汽车级AEC-Q100 1级-40℃至+125℃
封装：256Mb和512Mb器件采用24焊球BGA封装，尺寸6×8毫米，1Gb器件采用24焊球BGA封装，尺寸8×8毫米

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~2V

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	绝对写保护；ECC纠错；上电复位