- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S29GL128S10DHV010
S29GL128S10DHV010
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29GL128S10DHV010
- 商品编号
- C6801639
- 商品封装
- FBGA-64(9x9)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.741克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 60ns | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位；电源锁定保护 |
商品概述
该系列闪存产品基于65纳米MIRRORBIT Eclipse工艺技术制造，提供最快15纳秒的页面访问时间，以及最快90纳秒的随机访问时间。其写入缓冲区支持单次操作编程最多256字/512字节，相比标准编程算法有效缩短了编程时间，非常适合当前对更高密度、更优性能和更低功耗有要求的嵌入式应用。
商品特性
- CMOS 3.0 V核心，支持多功能I/O
- 65纳米MIRRORBIT Eclipse技术
- 单电源供电，用于读取、编程和擦除操作，电压范围为2.7 V至3.6 V
- 多功能I/O特性
- 宽I/O电压范围：1.65 V至VCC
- 16位数据总线
- 异步32字节页面读取
- 512字节编程缓冲区
- 支持页面倍数编程，最多512字节
- 支持同一字的单字和多字编程选项
- 自动错误检查与纠正，内置硬件ECC，支持单比特错误纠正
- 扇区擦除
- 统一的128千字节扇区
- 支持编程和擦除操作的中断与恢复命令
- 提供状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚三种方法以确定器件状态
- 高级扇区保护
- 为每个扇区提供易失性和非易失性保护方法
- 独立的1024字节一次性编程阵列，包含两个可锁定区域
- 通用闪存接口参数表
- 温度范围/等级：工业级 -40℃ to +85℃；增强工业级 -40℃ to +105℃；汽车级，AEC-Q100 3级 -40℃ to +85℃；汽车级，AEC-Q100 2级 -40℃ to +105℃
- 10万次编程/擦除周期
- 20年数据保持期
- 封装选项：56引脚TSOP；64球LAA加固型BGA，13 mm × 11 mm；64球LAE加固型BGA，9 mm × 9 mm；56球VBU加固型BGA，9 mm × 7 mm
应用领域
- 工业控制
- 汽车电子
- 消费电子
- 网络通信
- 数据存储