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S25HL512TDPNHM013

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HL512TDPNHM013
商品编号: C6801576
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.223克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit

	属性	参数值
	工作电压	2.7V~3.6V
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品特性

英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元可存储两位数据
扇区架构选项：
- 统一架构：地址空间由所有256KB扇区组成
- 混合配置1：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区集中在顶部或底部，其余扇区均为256KB
- 混合配置2：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB
256或512字节的页面编程缓冲区
1024字节（32×32字节）的一次性可编程（OTP）安全硅阵列
四路SPI：
- 支持1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议
- 单数据率（SDR）选项最高运行速度达83MBps（166MHz时钟速度）
- 双数据率（DDR）选项最高运行速度达102MBps（102MHz时钟速度）
双SPI：
- 支持1S - 2S - 2S协议
- SDR选项最高运行速度达41.5MBps（166MHz时钟速度）
SPI：
- 支持1S - 1S - 1S协议
- SDR选项最高运行速度达21MBps（166MHz时钟速度）
功能安全特性：
- 具备业界首款符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D做好准备的NOR闪存的功能安全特性
- 英飞凌Endurance Flex架构提供高耐用性和长数据保留分区
- 数据完整性循环冗余校验（CRC）检测存储阵列中的错误
- SafeBoot报告设备初始化失败，检测配置损坏，并提供恢复选项
- 内置纠错码（ECC）纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
- 扇区擦除状态指示器用于擦除过程中的掉电情况
保护特性：
- 针对存储阵列和设备配置的传统块保护
- 基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
自动启动功能，在上电后可立即访问存储阵列
通过JEDEC串行闪存复位信号协议/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
串行闪存可发现参数（SFDP）描述设备功能和特性
设备识别、制造商识别和唯一识别
数据完整性：
- 256Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为640,000次
- 512Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为1,280,000次
- 1Gb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为2,560,000次
- 所有设备：4KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300,000次，最小数据保留时间为25年
电源电压：
- 1.7V至2.0V（HS - T）
- 2.7V至3.6V（HL - T）
等级/温度范围：
- 工业级（-40°C至+85°C）
- 增强工业级（-40°C至+105°C）
- 汽车AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）
- 汽车AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）
- 汽车AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）
封装：
- 256MB和512MB：
  - 16引脚SOIC（300密耳） - SO3016
  - 24球BGA 6×8mm
  - 16引脚SOIC（300密耳）
  - 8触点WSON 6×8mm
- 1GB：
  - 16引脚SOIC（300密耳） - SO3016
  - 24球BGA 8×8mm
  - 16引脚SOIC（300密耳）

数据手册PDF

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