S25HS01GTFAMHI013

赛普拉斯采用45纳米MirrorBit®技术，每个存储阵列单元可存储两位数据。有均匀和混合两种扇区架构选项，页编程缓冲区为256或512字节，还有1024字节的一次性可编程安全硅阵列。接口支持Quad SPI、Dual SPI和SPI，有不同协议和传输速率。具有安全特性，如符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D就绪的功能安全、EnduraFlex™架构、数据完整性CRC检测、SafeBoot、内置纠错码等；还有保护特性，如传统块保护和高级扇区保护。具备自动启动和硬件复位功能。不同容量设备有不同的编程 - 擦除周期和数据保留时间，供电电压有1.7 - 2.0V（HS - T）和2.7 - 3.6V（HL - T），有不同的温度等级，提供多种封装形式。

• 采用赛普拉斯45纳米MirrorBit®技术，每个存储阵列单元存储两位数据
• 有均匀和混合两种扇区架构选项
• 页编程缓冲区为256或512字节
• 1024字节的一次性可编程安全硅阵列
• Quad SPI支持1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议，SDR选项最高运行速度83 MBps（166 MHz时钟速度），DDR选项最高运行速度102 MBps（102 MHz时钟速度）
• Dual SPI支持1S - 2S - 2S协议，SDR选项最高运行速度41.5 MBps（166 MHz时钟速度）
• SPI支持1S - 1S - 1S协议，SDR选项最高运行速度21 MBps（166 MHz时钟速度）
• 具有符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D就绪的功能安全
• EnduraFlex™架构提供高耐久性和长保留分区
• 数据完整性CRC检测内存阵列中的错误
• SafeBoot报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
• 内置纠错码（ECC）纠正内存阵列数据的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
• 扇区擦除状态指示器用于擦除时的电源丢失情况
• 具有内存阵列和设备配置的传统块保护
• 具有基于单个内存阵列扇区的高级扇区保护
• 自动启动功能使上电后可立即访问内存阵列
• 可通过CS#信号方法（JEDEC）/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
• 具有描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数（SFDP）
• 具有设备标识、制造商标识和唯一标识
• 256 Mb设备主阵列最小640,000次编程 - 擦除周期
• 512 Mb设备主阵列最小1,280,000次编程 - 擦除周期
• 1 Gb设备主阵列最小2,560,000次编程 - 擦除周期
• 所有设备4 KB扇区最小300,000次编程 - 擦除周期，最小25年数据保留时间
• 供电电压1.7 - 2.0V（HS - T）和2.7 - 3.6V（HL - T）
• 有工业级（-40°C至 +85°C）、工业增强级（-40°C至 +105°C）、汽车AEC - Q100 3级（-40°C至 +85°C）、汽车AEC - Q100 2级（-40°C至 +105°C）、汽车AEC - Q100 1级（-40°C至 +125°C）温度范围
• 256 Mb和512 Mb有24球BGA 6×8 mm、16引脚SOIC（300 mil）、8触点WSON 6×8 mm封装
• 1 Gb有24球BGA 8×8 mm、16引脚SOIC（300 mil）封装