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S25HL02GTDZBHB050

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HL02GTDZBHB050
商品编号: C6801568
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品概述

英飞凌采用45纳米MIRRORBIT™技术，在每个存储阵列单元中存储两个数据位，有多芯片封装（MCP），包括02GT双芯片封装（DDP）2×1Gb芯片和04GT四芯片封装（QDP）4×1Gb芯片。有扇区架构选项，包括统一和混合配置。有256或512字节的页面编程缓冲区，1024字节（32×32字节）的OTP安全硅阵列。接口支持Quad SPI、Dual SPI和SPI，有不同协议和速度选项。具备安全和保护特性，如功能安全、数据完整性CRC、SafeBoot、内置纠错码等。数据完整性方面，主阵列最少有2560000次编程 - 擦除周期，4KB扇区最少有300000次编程 - 擦除周期，最少25年数据保留。供电电压有1.7V至2.0V（HS - T）和2.7V至3.6V（HL - T），有不同温度等级和24球BGA 8×8mm封装。

商品特性

采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
多芯片封装（MCP）
02GT双芯片封装（DDP）2×1Gb芯片，04GT四芯片封装（QDP）4×1Gb芯片
有统一和混合扇区架构选项
256或512字节的页面编程缓冲区
1024字节（32×32字节）的OTP安全硅阵列
支持Quad SPI、Dual SPI和SPI接口及多种协议
具备功能安全，是行业首个符合ISO26262 ASIL B且为ASIL D做好准备的NOR闪存
英飞凌Endurance flex架构提供高耐久性和长保留分区
数据完整性CRC检测存储阵列中的错误
SafeBoot报告设备初始化失败，检测配置损坏并提供恢复选项
内置纠错码（ECC）纠正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
扇区擦除状态指示器用于擦除期间的掉电情况
对存储阵列和设备配置有传统块保护
对单个存储阵列扇区有高级扇区保护
通过CS#信号方法（JEDEC）/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
有描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数（SFDP）
有设备标识、制造商标识和唯一标识
主阵列最少2560000次编程 - 擦除周期，4KB扇区最少300000次编程 - 擦除周期，最少25年数据保留
供电电压1.7V至2.0V（HS - T）和2.7V至3.6V（HL - T）
有不同温度等级，包括工业级（-40°C至+85°C）、工业增强级（-40°C至+105°C）、汽车AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）、汽车AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）、汽车AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）
24球BGA 8×8mm封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	2Gbit
	工作电压	2.7V~3.6V