S25HL02GTDPBHM050

支持Quad SPI接口的闪存，采用45-nm MIRRORBIT技术，具备安全和保护特性

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HL02GTDPBHM050
商品编号: C6801566
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

商品概述

英飞凌带有Quad SPI接口的SEMPER™闪存系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT™ NOR闪存器件。SEMPER™闪存专为功能安全而设计，按照ISO 26262标准进行开发，以实现ASIL - B合规和ASIL - D就绪。该闪存支持传统SPI单比特串行输入输出，可选两比特（双I/O或DIO）以及四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）协议。此外，QIO和QPI还有DDR读取事务，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。设备的读取操作是面向突发的，读取事务可配置为使用环绕或线性突发。环绕突发从单页读取，而线性突发可读取整个存储阵列。每个存储位的擦除状态为逻辑1，编程将逻辑1（高电平）变为逻辑0（低电平），只有擦除操作才能将存储位从0变为1，擦除操作必须对整个扇区（4 KB或256 KB）执行。SEMPER™闪存提供灵活的扇区架构，地址空间可配置为统一的256 KB扇区阵列，或混合配置1（32个4 KB扇区集中在顶部或底部，其余扇区为256 KB），或混合配置2（顶部和底部各有32个4 KB扇区，其余扇区为256 KB）。单编程操作期间使用的页编程缓冲区可配置为256字节或512字节，512字节选项提供最高的编程吞吐量。该器件是带有DDP或QDP堆叠管芯的多芯片封装（MCP），封装内所有管芯的控制信号在内部连接在一起。

商品特性

采用45纳米技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
提供双芯片封装和四芯片封装选项
提供统一扇区架构和两种混合扇区架构配置
页编程缓冲区可配置为256字节或512字节
包含1024字节的一次性可编程安全硅阵列
支持多种串行外设接口协议，包括单线、双线和四线模式
支持单数据速率和双数据速率选项，提供不同的传输速率
提供功能安全特性
提供高耐用性和长数据保持分区
数据完整性循环冗余校验可检测存储阵列中的错误
安全启动报告设备初始化失败，检测配置损坏并提供恢复选项
内置纠错码可纠正存储阵列数据的单位错误并检测双位错误
扇区擦除状态指示器用于擦除期间的电源丢失
提供对存储阵列和设备配置的传统块保护
提供基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
支持通过片选信号、独立复位引脚或数据引脚进行硬件复位
支持串行闪存可发现参数，用于描述设备功能和特性
提供设备标识、制造商标识和标识
主阵列的最小编程擦除周期为2，560，000次
4KB扇区的最小编程擦除周期为300，000次
最小数据保持时间为25年
工作电压范围：1.7伏至2.0伏，以及2.7伏至3.6伏
提供多种工业级和汽车级温度范围
封装形式为24球栅阵列，尺寸为8毫米×8毫米

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	2Gbit
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	ECC纠错