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S70GL02GS11FHB010

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S70GL02GS11FHB010
商品编号: C6801147
商品封装: FBGA-64(11x13)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.741克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；软件写保护；上电复位

商品概述

S70GL02GS 2 Gb MIRRORBIT™ 闪存设备采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术制造。该设备提供 25 纳秒的快速页面访问时间，相应的随机访问时间为 110 纳秒。它具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程 256 字/512 字节，与标准单字节/字编程算法相比，有效编程时间更快。这使得该设备成为当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用的理想产品。

商品特性

具有 Versatile I/O™ 的 3.0 V CMOS 内核
单个 64 球 Fortified - BGA 封装中包含两个 1024 兆位（S29GL01GS）芯片（完整规格请参阅 S29GL01GS 数据手册）
65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术
读写/编程/擦除采用单电源（VCC）（2.7 V 至 3.6 V）
多功能 I/O 特性
宽 I/O 电压（VIO）：1.65 V 至 VCC
×16 数据总线
16 字/32 字节页面读取缓冲区
512 字节编程缓冲区
以页面倍数进行编程，最大可达 512 字节
扇区擦除
统一的 128 KB 扇区
S70GL02GS：2048 个扇区
编程和擦除操作的暂停和恢复命令
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法来确定设备状态
高级扇区保护（ASP）
每个扇区的易失性和非易失性保护方法
独立的 1024 字节一次性可编程（OTP）阵列，有两个可锁定区域
每个设备都支持通用闪存接口（CFI）
WP# 输入
保护每个设备的第一个或最后一个扇区，或第一个和最后一个扇区，无论扇区保护设置如何
温度范围：
工业温度范围（-40°C 至 +85°C）
汽车 AEC - Q100 3 级（-40°C 至 +85°C）
汽车 AEC - Q100 2 级（-40°C 至 +105°C）
每个扇区典型的 100,000 次擦除周期
典型的 20 年数据保留期
封装选项
64 球 LSH Fortified BGA，13 毫米×11 毫米

应用领域

嵌入式应用

数据手册PDF

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