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SIR586DP-T1-RE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR586DP-T1-RE3

SIR586DP-T1-RE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR586DP-T1-RE3
商品编号
C6680135
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)78.4A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)45.7W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)29nC@7.5V
输入电容(Ciss)1.905nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

本技术说明讨论了采用SC-70封装的单通道LITTLE FOOT功率MOSFET的引脚排列、封装外形、焊盘图案、评估板布局和热性能。这些新器件适用于需要小型化封装且需切换低电平电流(约350mA)的小信号应用,可直接切换或采用电平转换配置。这些单器件提供了一系列导通电阻规格,有传统的3引脚和新型的6引脚版本。与3引脚封装相比,新型6引脚SC-70封装可实现更低的导通电阻值和更好的热性能。

商品特性

  • TrenchFET第五代功率MOSFET
  • 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
  • 针对最低的RDS × Qoss品质因数进行优化
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

  • 同步整流
  • 初级侧开关
  • DC/DC转换器
  • 或门和热插拔开关
  • 电源
  • 电机驱动控制
  • 电池管理

数据手册PDF