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SIRA90DP-T1-RE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIRA90DP-T1-RE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:65.8A

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描述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg 和UIS测试。应用：同步整流。 OR-ing
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIRA90DP-T1-RE3
商品编号
C6680143
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.574343克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)65.8A
导通电阻(RDS(on))0.8mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)6.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))800mV
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)10.18nF@15V
反向传输电容(Crss)306pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

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