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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.22nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 232pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
Vishay的第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR310、SiHFR310)-直插引脚(IRFU310、SiHFU310)-提供卷带包装-快速开关-全雪崩额定值