- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 232pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
Vishay的第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- SQJ454EP-T1_BE3
- SQJ459EP-T1_BE3
- SQJ459EP-T2_BE3
- SQJ460AEP-T1_BE3
- SQJ464EP-T1_BE3
- SQJA20EP-T1_BE3
- SQJA68EP-T1_BE3
- SQJA70EP-T1_BE3
- SQJA72EP-T1_BE3
- SQM120N03-1M5L_GE3
- SQM200N04-1M1L_GE3
- SMM-120-02-S-D-P-TR
- SMM-121-02-L-D
- SMM-121-02-S-D
- SMM-122-01-S-D
- SMM-122-02-F-D
- SMM-122-02-H-D-LC
- SMM-122-02-S-D-K-TR
- SMM-122-02-S-D-LC-P-TR
- SMM-122-02-S-S-P-TR
- SMM-123-01-S-D-08