SQS142ENW-T1_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS142ENW-T1_GE3
- 商品编号
- C6680637
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.952nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100% Rg和UIS测试
- 可焊侧翼端子
- 0.75mm厚度,低热阻
应用领域
- 电源管理开关
- 直流-直流转换器
相似推荐
其他推荐