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SQJ186ELP-T1_GE3
80V 66A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ186ELP-T1_GE3
- 商品编号
- C6680594
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.325nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试