SQ4153EY-T1_BE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:25A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4153EY-T1_BE3
- 商品编号
- C6680572
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心
- 高端开关
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