SQA602CEJW-T1_GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:5.63A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA602CEJW-T1_GE3
- 商品编号
- C6680578
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 13.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 355pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 可焊侧翼端子
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 同步整流
- 或门逻辑（OR-ing）
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块（VRMs）和嵌入式DC/DC
- DC/AC逆变器
- 负载开关
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