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SISH472DN-T1-GE3

1个N沟道耐压:30V 电流:20A 电流:15A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SISH472DN-T1-GE3
商品编号: C6680145
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

表面贴装
提供卷带包装
动态dv/dt额定值
重复雪崩额定值
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
工作温度150°C

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	20A；15A
	导通电阻(RDS(on))	8.9mΩ@10V,15A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3.5W；28W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	997pF@15V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)