温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SISH472DN-T1-GE3

1个N沟道耐压:30V 电流:20A 电流:15A

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SISH472DN-T1-GE3
商品编号: C6680145
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

TrenchFET功率MOSFET
针对同步降压操作进行优化
进行100% Rq和UIS测试
符合RoHS标准
无卤

应用领域

笔记本电脑CPU核心
高端开关

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	20A；15A
	导通电阻(RDS(on))	8.9mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3.5W；28W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	997pF
	工作温度	-55℃~+150℃