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SIR846DP-T1-GE3
SIR846DP-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR846DP-T1-GE3
- 商品编号
- C6680139
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 100% 进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-隔离式 DC/DC 转换器-全桥电路
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