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SI4368DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 极低的Qg(d)，可改善开关损耗。 TrenchFET第二代功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：低端DC/DC转换。 笔记本电脑、服务器、VRM模块
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4368DY-T1-E3
- 商品编号
- C6678798
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.34nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 355pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 极低的栅漏电荷 (Qg)，有助于降低开关损耗
- TrenchFET 第二代功率 MOSFET
- 100%进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 低端 DC/DC 转换
- 笔记本电脑、服务器、VRM 模块
- 固定电信设备
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