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SIDR5802EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:153A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR5802EP-T1-RE3
- 商品编号
- C6679973
- 商品封装
- PowerPAKSO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 153A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.285nF |
商品特性
- 低品质因数 (FOM)：导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 硬开关拓扑-功率因数校正电源 (PFC)-开关模式电源 (SMPS)-计算机领域-个人电脑银盒/ATX 电源-照明-两级 LED 照明
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