SIHA25N50E-GE3
1个N沟道 耐压:500V 电流:26A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHA25N50E-GE3
- 商品编号
- C6679990
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻
- 栅极静电放电保护
- 符合 RoHS 标准（无豁免项）
- 符合 REACH 法规、无冲突矿物
- 低导通电阻
- 栅极静电放电保护
- 符合 RoHS 标准（无豁免项）
- 符合 REACH 法规、无冲突矿物
应用领域
- 信号处理
- 逻辑电平转换器
- 驱动器
- 信号处理
- 电平转换器
- 驱动级
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