SIHL630STRL-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHL630STRL-GE3
- 商品编号
- C6680028
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 工作温度150°C
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